Танталовый лист 0,9х100х100 мм ТВЧ в Пскове

В области тонких пленок для оптики танталовый лист имеет применение для создания высококачественных антиотражающих, защитных и интерференционных покрытий. Его стабильность, высокая прозрачность в видимом спектре (в виде оксида Ta2O5) и возможность точного контроля толщины пленки делают его востребованным материалом.

В экспериментальных областях энергетики танталовый лист используется для создания высокотемпературных компонентов термоядерных реакторов (например, для первой стенки или дивертора), оболочек ядерного топлива и элементов систем, работающих в агрессивных средах и при экстремальных температурах.

Танталовый лист демонстрирует высокую стойкость в сильноокисляющих кислотах, таких как концентрированная хромовая кислота. В этих условиях на его поверхности формируется прочная пассивная оксидная пленка, которая эффективно защищает металл от дальнейшей коррозии.

Танталовый лист обладает высокой стойкостью к большинству органических растворителей. Температура окружающей среды обычно мало влияет на скорость коррозии тантала в этих средах, так как они не взаимодействуют с его пассивной оксидной пленкой. Однако, при очень высоких температурах могут проявляться специфические реакции.

Вибрационные нагрузки могут привести к усталостному разрушению танталового листа, особенно в теплообменном оборудовании, где присутствуют температурные перепады. Хотя тантал обладает хорошей усталостной прочностью, длительные циклические нагрузки при высоких температурах требуют тщательного расчета и проектирования для обеспечения долговечности.

Танталовый лист проявляет высокую устойчивость к расплавленным натрию и калию при умеренных температурах, что делает его применимым в жидкометаллических теплоносителях. Однако при очень высоких температурах возможно растворение тантала в расплаве, особенно при наличии примесей в металле или тантале.

В производстве анодов для электролитических конденсаторов применяются танталовые листы высокой чистоты, прежде всего марки ТВЧ. Его способность к формированию стабильной и тонкой диэлектрической оксидной пленки с высоким пробивным напряжением критична для характеристик конденсатора.