Танталовый лист 0,4х40х100 мм ТВЧ в Пскове

Танталовый лист демонстрирует высокую стойкость в сильноокисляющих кислотах, таких как концентрированная хромовая кислота. В этих условиях на его поверхности формируется прочная пассивная оксидная пленка, которая эффективно защищает металл от дальнейшей коррозии.

Даже незначительные примеси в танталовом листе марки ТВЧ могут негативно сказаться на его устойчивости к каустической соде. Тантал чувствителен к щелочам при высоких температурах. Примеси, особенно металлы с более низким потенциалом, могут ускорять коррозию, вызывая локальные разрушения. Для щелочных сред критична максимальная чистота.

Различные методы очистки танталового листа (химическое травление, ультразвуковая очистка) перед использованием критически важны для его дальнейших свойств. Чистая поверхность обеспечивает лучшую адгезию покрытий, оптимальную пассивацию и минимизирует риск загрязнения рабочих сред, что влияет на коррозионную стойкость и долговечность.

Для использования в условиях вакуума при температурах до 1500°C без значительного испарения подходят танталовые листы марки ТВЧ и легированные вольфрамом марки ТВ-10. Тантал имеет очень низкое давление паров при этих температурах, что обеспечивает его стабильность и минимальную потерю массы.

Танталовый лист марки ТВ-10, легированный вольфрамом, обычно демонстрирует несколько лучшую устойчивость к водородному охрупчиванию по сравнению с чистым танталом (ТВЧ) в высокотемпературных газовых средах. Легирующие элементы могут снижать диффузию водорода в кристаллическую решетку. Тем не менее, полное исключение охрупчивания невозможно.

Для использования в электронных компонентах, где требуется высокая электропроводность, подходят танталовые листы марки ТВЧ. Его высокая чистота тантала обеспечивает его оптимальную электропроводность, что критично для производства конденсаторов, резисторов и других элементов.

Для использования в качестве фольги для конденсаторов подходит танталовый лист марки ТВЧ толщиной 0.1 мм и тоньше. Его высокая чистота тантала обеспечивает низкие токи утечки и стабильные диэлектрические свойства после формирования анодного оксидного слоя, что критично для электронных компонентов.